オン抵抗6mΩ品など耐圧750VのSiC FET

SiCもしくはSiCデバイスとは「パワー半導体」と呼ばれる半導体のタイプ。難しいことなしで言うと、機器や設備を省エネ、高効率にするすぐれもの。

条件さえ整えば、ですが現在の電力ロスを数十分の1くらいにまでできるものです。

いきなりマニアックな製品から始めてしまったものです。でもCPUやスマホ用の半導体に比べると、マニアックな製品に見えますが、モータ機器、インバータ、車載、バッテリー、電力設備，電車、ロボット、蓄電、家電にも欠かせない。電子技術者だと電源、モータ関係やってる人は少なから
ず関わるはず。

ということでニュースによれば

米国UnitedSiCは2021年9月15日、耐圧750Vでオン抵抗が6mΩと小さいSiC（炭化ケイ素）FETを発表しました。競合するSiC MOSFET製品に比べオン抵抗は半分以下。すごい。

ちなみにオン抵抗を競合他社の半分にするとありますが、オン抵抗とはMOSFETを動作（オン）させた時のドレイン・ソース間の抵抗値。これが高いと電力が熱になってロス、どこかに消えてしまうわけです。SiCの電力損失抑制競争はけっこうシビアに展開してますが、これどうやったんでしょうね。

構造はSiC JFETとシリコンMOSFETの2チップをカスコード接続して、ワンパッケージ。なるほど設計者は都合に合わせてよいところどりできるハイブリッド製品のようですね。

耐圧750V品を用意。耐圧増えると応用分野ぐっと広がります。また回路設計のマージンが生まれます。

SiCやGaNはいま電源系ではビビっと来る話題なので、ついついニュースを読んでしまいます。